Bonding struktur półprzewodnikowych

Bonding struktur półprzewodnikowych (wire bonding) to kluczowy proces produkcyjny dla przyrządów mikroelektronicznych. Znajduje zastosowanie w montażu Chip-on-Board (COB), czujnikach MEMS, modułach optoelektronicznych, hybrydowych, Multi-chip module (MCM), produktach RF i mikrofalowych czy urządzeniach dyskretnych/laserach. Bonding struktur półprzewodnikowych jest procesem przebadanym i niezawodnym. Łączenie można wykonać na różnych podłożach, od płytek drukowanych typu FR4, przez wielowarstwową i grubowarstwową ceramikę, po elastyczne obwody drukowane FLEX.

Bonding struktur półprzewodnikowych (wire bonding) wykonujemy przy użyciu półautomatycznego urządzenia firmy Kulicke & Soffa. Średnice drutu wynoszą od 25 µm do 75 µm dla złota i aluminium. Wykorzystujemy technikę klinowego łączenia drutów (ang. wedge bonding).

Jakość końcowego produktu jest dla nas kluczowa. Możemy określić i zastosować różnorodne techniki hermetyzacji w celu utrzymania integralności i bezpieczeństwa produktu. Końcowy proces weryfikowany jest poprzez kontrolę optyczną i rentgenowską. Przeprowadzamy również testy połączeń drutowych, aby umożliwić kwalifikację procesu łączenia drutu.

Zapraszamy do kontaktu: pciszewski@semicon.com.pl